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秦克精神大振。

芯片技术的任务终于来了！果然，自己猜得没错，特殊分支科技肯定会一直有任务发下来，只是时间不确定罢了。

这也意味着，停滞了好久的“人工智能”分支科技，以后也必定会有新的任务。

而触发新任务的方式，可能是遇到刚好与之有关的事件，比如这次许老师找上门来求助eda算法的事，系统就直接下发了与eda有关的芯片任务。

当然，除了想明白这些细节外，最让秦克感觉精神振奋的是任务的奖励，居然有一份s级的知识！而且是适用于1nm芯片的全新型碳晶复合纳米材料制作全流程！

1nm的制程工艺是什么概念？

要知道现在国际主流的芯片采用的硅基材料，制程工艺物理极限只能达到7nm而已！

因为硅基晶体管由源极，漏极和栅极组成，栅极负责电子的流向，通过“开和关”的动作来标识着0和1这两个二进制信号，但当晶体管栅长低于7nm时，里面的电子就有很大概率产生量子穿隧效应，即电子会穿过它们本来无法通过的“墙壁”而呈现出不受控制的情况。

0和1这最基本的二进制信号不可控，那还谈什么用来制造芯片？

近来得益于一种新研发出来的互补式金属氧化物半导体晶体管“fi”（翻译过来就是“鳍式场效应晶体管”），大幅缩短晶体管的栅长，才使得5nm开始进入量产阶段。

但哪怕是在fi技术下，芯片制造工艺极限也只到3nm，无论是鳍片距离问题、短沟道效应问题、热效应问题都无法得到解决，于是更高级的环绕式闸极电晶体（gaa）诞生了，一举将制程工艺压缩到2nm，目前gaa技术也只是小规模地运用，无法真正量产。

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