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“光刻机的定位分辨率一般来说，比制程分辨率会高一到两代。”

“我们新科目前采用的芯片制程是0.35微米技术，定位分辨率则能够达到0.25微米水平。”

“按照正常的研发序列，我们接下来五年时间里会陆续开发出0.18和0.13微米级别的定位分辨率技术。”

“受限于我们目前的技术水平，到2004年我们最多可以把定位分辨率推进到90纳米。”

送走了林千军，王中军在实验室的闭门小会里露出了一脸愁容。

大家打完了鸡血，热情却不能直接变成科研成果，而科学技术又从来不以人的意志为转移。

所以在说到具体问题的时候，该掉头发还是要掉头发的。

“情况就是这么个情况，我们现在能够做到0.25微米已经是为了追赶国际先进水平，付出极大压力之后的成果了。”

“可是如果要满足有关单位的需求，我们的纳米光栅必须达到100纳米的分辨率。这已经不是亚微米技术，而是微纳米的范畴了。也就是说，我们需要跨越至少五年时间的技术发展，将定位分辨率提前推到100纳米。”

王中军说到这里不由皱起眉头，手摸着烟盒却没有打开：“都说说吧，有什么思路没有？”

下面实验室里的研究员们面面相觑，跟着一起犯起了难。

“继续采用化学蚀刻法怎么样？如同通过多次曝光的技术……”

“不行的，化学蚀刻法的各向异性太差了。即使是重复曝光蚀刻，也会导致两侧侵蚀，精度必然达不到100纳米的要求。”

纳米光栅的制作技术，其实和制作芯片差不多，一样是通过在硅片上涂抹光刻胶，然后反复曝光、蚀刻，最后形成符合精度要求的光栅。不过目前业界通常采用的化学蚀刻方法，却在微纳米级条件下并不适用了。

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