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极紫外光刻技术的另一大瓶颈无疑就是光刻胶了。

目前的行业现状是，半导体材料的供应都是十分集中的，而光刻胶技术算是全球集中度最高，并且壁垒也是最高的材料，被日本和北美合计占领了95%的市场份额。

三星电子半导体固然牛气哄哄，也却是很有实力，但实际上得看日本人的脸色，如果日本的半导体材料商在材料这块卡一下，三星半导体就要趴窝。

休息室里正在进行临时的技术交流探讨，一位负责光刻胶技术的工程师有条不紊的说道：“在248纳米和193纳米的光刻中，主流有超过二十年之久都是使用有机化学放大光刻胶CAR，这是一种用来制作图案成型的光敏聚合物。”

在极紫外光刻机下，光子专机CAR光刻胶并产生光酸，之后CAR光刻胶在曝光后的过程中进行光酸催化反应，进而产生光刻图案。

原理就是这么个原理。

那名工程师继续道：“把CAR光刻胶用于极紫外光刻技术上，但因为光源能量大幅度增加了，之前的实操结果显示会出现不同且复杂的结果，进而影响芯片的良品率。”

罗晟点点头，说道：“到了EUV技术节点，这个不单单是我们的问题，竞争者也一样会遇到类似问题，还是得开拓新思路，想来当前业界其它的半导体设备、材料商都会想尽各种方式，或者提出新的光刻胶技术解决方案，让极紫外光刻技术可以持续使用，从而延续摩尔定律的寿命。”

刚刚那名工程师再次说道：“新思路方面，我们项目组有多个团队针对新的EUV光刻胶在进行多种方向的尝试，例如仍然是液态式的金属氧化物光刻胶，还有干式的光刻胶等方向的研发。”

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